| 17:30 - 18:15 ポスター発表 |
A1 |
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フォトルミネッセンス法によるZnO 系薄膜の評価 |
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柴田 肇 （産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門） |
A2 |
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ZnO 系HEMT デバイス |
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反保衆志 （産業技術総合研究所 太陽光発電研究センター） |
A3 |
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MOVPE法によるサファイア基板上へのZnO 薄膜の高速成長 |
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前島圭剛 （産業技術総合研究所 太陽光発電研究センター） |
A4 |
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マイクロ波加熱による水溶液からのZnOナノロッド形成 |
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尾形健一 （大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター） |
A5 |
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MBE 成長ZnO のTRPL |
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高水大樹 （ローム株式会社） |
A6 |
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MBE 成長MgZnO のTRPL |
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田村謙太郎 （ローム株式会社） |
A7 |
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ZnO のMBE 成長におけるZnO 基板OFF 角依存性 |
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湯地洋行 （ローム株式会社） |
A8 |
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MBE 成長Zn 極性MgZnO 膜の表面平坦性の成長条件依存性 |
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赤坂俊輔 （ローム株式会社） |
A9 |
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原子層エピタキシ法による酸化亜鉛ホモエピタキシ成長 |
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牧野久雄 （高知工科大学 総合研究所） |
A10 |
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ミストCVD 法による各種酸化物の作製 |
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川原村敏幸 （京都大学 工学研究科） |
A11 |
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Hot Wall 方式超音波噴霧CVD 法による酸化亜鉛薄膜の作製(1) |
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西中浩之 （京都大学 工学研究科） |
A12 |
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Hot Wall 方式超音波噴霧CVD 法による酸化亜鉛薄膜の作製(2) |
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鎌田雄大 （京都大学 工学研究科） |
A13 |
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液相エピタキシー法による酸化亜鉛混晶の厚膜結晶成長 |
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関和秀幸 （三菱ガス化学株式会社） |
A14 |
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ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーにおける高温熱処理自己緩衝層挿入効果 |
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小山享宏 （JST・東北大学 多元物質科学研究所） |
A15 |
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非極性m 面InGaN 量子井戸LED の光学特性-酸化亜鉛の相手を知るべく- |
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尾沼猛儀 （東北大学 多元物質科学研究所） |
A16 |
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ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるZnO:Ga薄膜成長 |
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杉山 睦 （東京理科大学 理工学部） |
A17 |
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レーザー平面加熱装置「ExLASER」 |
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千葉貴史 （坂口電熱株式会社） |
A18 |
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大型酸化亜鉛バルク結晶の作製と評価 |
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鈴木崇雄 （東京電波株式会社） |
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| ※18:15 - 19:30 懇親会 (多元物質科学研究所
セミナー室 会費: 一人2,000円) |
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12
月 21 日(金) 08:45 ～ 12:45 |
| 結晶成長Ⅱ（ エピタキシャル薄膜および透明導電膜） 座長：塚崎 敦 |
| 08:45 - 09:15 |
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ZnO 系薄膜の高品質化とデバイス応用 |
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仁木 栄 （産業技術総合研究所 太陽光発電研究センター） |
| 09:15 - 09:45 |
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ZnO 基板上へのZnO 系三元混晶のMBE 成長と評価 |
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加藤裕幸 （スタンレー電気株式会社） |
| 09:45 - 10:15 |
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ZnO 薄膜作製技術としてのミストCVD 法：その可能性と課題 |
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藤田静雄 （京都大学 工学研究科） |
| 10:15 - 10:45 |
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酸化亜鉛透明導電膜におけるミクロ構造とマクロ特性 |
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山本哲也 （高知工科大学 総合研究所） |
| 10:45 - 11:05 |
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休憩 |
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| デバイス応用 座長：仁木 栄 |
| 11:05 - 11:35 |
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プラズマ支援型分子線エピタキシー法(PAMBE)による+C 面ZnO 基板上ヘテロ構造 |
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中原 健 （ローム株式会社） |
| 11:35 - 12:05 |
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酸化物半導体ZnO 系材料の発光受光素子応用 |
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天明二郎 （静岡大学 電子工学研究所） |
| 12:05 - 12:35 |
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ZnO/ZnMgO ヘテロ界面の二次元電子ガスとそのデバイス応用 |
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矢野満明 （大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター） |
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| 12:35 - 12:45 |
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おわりに |
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川崎雅司
（東北大学 原子分子材料科学高等研究機構） |
