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【2012.1.12-13】窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センタ...


主催: 東北大学 多元物質科学研究所
日時: 平成24年1月12日(木)〜13日(金)
会場: 東北大学 片平さくらホール
講演内容
1月12日(木)
13:00
 
開会の挨拶
   
東北大学多元物質科学研究所 所長 河村純一
13:10- 14:00
 

InNおよびInGaN成長の最近の進展

― DERI法の結果が示唆すること― 

 
  名西やすし(立命館大学)
14:00- 14:35
 
GaN結晶基板の結晶成長技術
 
  福田承生(東北大学)
14:35- 15:10
 

メカノケミカル法によるGaN前駆体の合成とそこから派生したITOの直接還元によるIn回収        

 
  加納純也、 張其武、齋藤文良(東北大学)
 
 
休憩
 
 
 
15:30- 16:05
 
材料開発技術がもたらすLED照明の高品質化
 
  折戸文夫(三菱化学)
16:05- 16:40
 
アモノサーマル法におけるオートクレーブ内熱流体解析
 
  増田善雄(産業技術総合研究所)

16:40-17:15

 
還元窒化法および簡易合成法による白色LED照明用窒化物系蛍光体の合成 
 
 

末廣隆之(東北大学)

17:30
 
交流会
 
1月13日(金)
9:00
 
三菱化学の産学連携
 
 
池浦富久(三菱化学)
9:10- 9:35
 
窒化ガリウム基板の低コスト化、量産化への取組み
 
 
藤森俊成(三菱化学)
9:35-10:10
 
ナトリウムを利用した無機材料合成法の新展開 
 
  山根久典(東北大学)
10:10-10:45
 

サファイア窒化法の熱力学と窒化機構およびその展開

―高品質窒化アルミニウム膜の作製を目指して― 
 
  福山博之(東北大学)
 
 
休憩
 
 
 
11:00-11:35
 
アモノサーマル法における鉱化剤の役割
 
  横山千昭(東北大学)
11:35-12:10
 
アモノサーマルGaN結晶育成技術と関与要因
 
  石黒徹(東北大学)
12:10-12:45
 
ワイドバンドギャップ窒化物半導体の時間分解分光評価
 
  秩父重英(東北大学)
12:45
 
閉会の挨拶
 
  山根久典(東北大学)

 


参加ご希望の方は、事前に参加申し込みをお願い致します。

参加申込書をダウンロードしてご記入の上、問い合わせ先へメールまたはFAXにてご送付ください。

参加費:無料 (交流会費:2,000円) 交流会の申込締切:12月20日(火)1月6日(金)

問い合わせ先:
東北大学多元物質科学研究所 冨田大輔
 
〒980-8577 仙台市青葉区片平2-1-1
 
TEL&FAX: 022-217-5647
 
e-mail: tomidatagen.tohoku.ac.jp
 
を@に変更してお送り下さい

 

 

 

投稿者  横山 千昭
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